一、电调核心电路设计解析1. 核心组件MOSFET 功率模块：采用 N 沟道增强型 MOSFET（如 IRF3205、FDP3688），导通电阻（Rds (on)）决定效率（典型值 1-10mΩ）。并联设计（2-6 颗）：分摊电流，降低发热